技术编号：10694189
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。使用浮栅来在其上存储电荷的闪存单元以及形成于半导体衬底中的此类非易失性存储器单元的存储器阵列，在本领域中是众所周知的。通常，此类浮栅存储器单元一直是分裂栅类型或叠栅类型的。图1中示出一种现有技术的非易失性存储器单元10。分裂栅超快闪(SuperFlash,SF)存储器单元10包括第一导电类型(诸如P型)的半导体衬底I。衬底I具有表面，在该表面上形成第二导电类型(诸如N型)的第一区2(也称为源极线SL)。同样第二导电类型(诸如N型)的第二区3(也称为漏极线)...
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