技术编号：10694231
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年来，对于硅系半导体器件，随着设计规则的微细化，其性能日益提高。因此，从各个晶体管、将晶体管之间连接的金属配线的放热成为了问题。为了应对该问题，也出现了在器件的制作后使硅基板的背面变薄到百微米?数百微米左右、在芯片上安装巨大的风扇、促进放热的方案、使水冷管围绕的方案。但是，实际上即使使硅变薄，制作器件的区域也是从表面到数微米左右的厚度，其以外的区域作为热积存处发挥作用，因此从放热的观点出发，效率变差。另外，近年来，高性能处理器等中使用的SOI晶片等在器件...
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