技术编号:10698135
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。以往,已知有通过离子注入将P型杂质注入到碳化硅(以下,记载为SiC)基板的整个正面(例如,专利文献I?4)。另外,已知有通过使用激光而将P型杂质注入到SiC基板的整个正面(例如,专利文献5?6和非专利文献I)。现有技术文献专利文献专利文献I日本特开第2007-227655号公报专利文献2日本特开第2000-277448号公报专利文献3日本特开平第08-148443号公报专利文献4日本特开第2013-232553号公报专利文献5日本特开平第08-264468...
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