技术编号:10698140
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 GaN基高电子迀移率晶体管(HEMT)以其特有的高电子迀移率、高二维电子气面密 度、高击穿电场成为下一代射频/微波功率放大器的首选技术。典型的GaN基HEMT各外延层 均不故意掺杂,且势皇层禁带宽度很大,因而其源漏欧姆接触的制备相较于GaAs以及InP HEMT要困难得多。 HEMT器件共有三个电极端子,分别为源极、漏极和栅极。其中源、漏两个电极均需 与半导体材料形成欧姆接触,欧姆接触好坏将在很大程度上决定器件潜力是否可以被充分 发掘,因此获得低阻欧姆接...
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