技术编号：10698161
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 半导体制造工艺包括制造互连件以形成电路。互连件可以用铜形成、通过诸如钽 和/或氮化钽之类的衬层覆盖，或者可以用钨形成。然而，铜互连件可能导致电迀移，这可能 会导致空隙形成和设备故障，而钨互连件可以具有更高的电阻率。其结果是，使用其它金属 形成互连件是有价值的。发明内容 本发明提供了处理衬底的方法。一个方面涉及一种在室内处理衬底的方法，该方 法包括（a)将所述衬底暴露于含硼卤化物气体和选自由含氢气体和含卤素气体组成的组 的添加剂保持足以选择性地沉积在所述衬...
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