技术编号：10698198
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 金属栅电极用于改善晶体管的性能。具体地，在埋栅型晶体管中，需要调节阈值电 压以执行高性能操作。此外，栅极诱导漏极泄漏(GIDL)对埋栅型晶体管产生巨大的影响。发明内容 本发明的实施例针对一种能够偏移阈值电压的埋栅结构以及制造其的方法。 本发明的另一个实施例针对一种能够改善栅极诱导漏极泄漏(GIDL)的半导体器 件以及制造其的方法。 本发明的又一个实施例针对一种能够改善刷新特性的存储单元。 本发明的又一个实施例针对一种具有改善性能的电子设备。 根据本发明的...
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