技术编号：10698199
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。公开号为2011-187853的日本专利申请(JP 2011-187853A)公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。当阈值电压或更高的电压施加于该MOSFET的栅电极，在基区形成沟道。因此，载流子通过该沟道从源极区流向漏极区。于是，该MOSFET导通。当施加到栅电极的电压降低到低于阈值时，该沟道消失，并且载流子的流动停止。于是，该MOSFET关断。发明内容为降低导通电阻或类似的目的，M0SFET的源极区和漏极区之间的距离被减小。即，当MO...
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