技术编号：10699159
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。为了制造半导体外延晶圆，使用市售的外延制造装置，在硅系基板(例如，硅基板或碳化硅基板)等的表面上进行外延生长，来进行异质或同质外延晶圆的制造。在硅系基板上配置由氮化物半导体所形成的外延生长层而成的外延晶圆，在外周部上的外延生长层的膜厚会变厚而产生外延生长层的晶冠(高于生长层的主表面的突起)。按照在作为半导体装置来使用的晶圆中央部，以使硅系基板的翘曲与外延生长层的应力最适宜的方式，选择外延生长层的各层的厚度等条件。因此，若产生上述晶冠，则会破坏外延生长层上所...
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