技术编号:10699168
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。浅沟槽隔离(STI)是用于将衬底或者形成于其上的结构的两个相邻部分隔离的常见的半导体工艺。例如,可以在形成晶体管或其它部件(例如,在空的衬底上)之前的半导体器件制造的早期执行STI。也可以在制造工艺中的形成半导体结构的至少一些部分时的一些之后的时间上执行STI。STI通常包括在衬底(例如,空的衬底或者部分完成的半导体结构(例如,量子阱生长结构))中蚀刻一个或多个沟槽,并且然后沉积电介质材料(例如,二氧化硅)以填充沟槽。然后,可以使用化学机械平面化(CMP)...
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