一种低压下制备正交晶系黑磷单晶的方法技术资料下载

技术编号:10716748

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半导体电子行业的飞速发展对材料的发展提出了更高的要求。石墨烯开创了二维材料的时代,其超高的载流子迀移率(15000cm2/V*S)以及其他优越的物理化学性质使得它被认为是最有可能代替硅的材料,然而带隙为零的特性限制了石墨烯的发展。与石墨烯类似,黑磷是一种单元素的二维材料,层与层之间存在范德华力,可通过剥离的方式得到不同层数的片状晶体。黑磷不仅拥有类石墨烯的超高载流子迀移率(200?50000cm2/V*S),而且其带隙可通过层数调节(0.3eV?2.0eV...
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