技术编号:10716760
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。氮化铝材料属于m-V族宽禁带半导体材料,其直接禁带宽度为6.2eV,氮化铝大尺寸单晶具有高的热导率和化学稳定性,由于其具有良好的理化性能,所以在高温、高频、高功率器件及深紫外光电子器件以及自旋半导体器件方面均具有广阔的应用前景;又铝Al和镓Ga、铟In元素隶属同族,其和氮元素均可形成六方纤锌矿结构的晶体材料,通过人为的技术手段可实现三元或者四元化合物,以此来制备具有带隙宽度可调节的晶体材料,进一步可形成带隙宽度可调的晶体材料。又氮化铝材料是氮化镓外延生长的...
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