技术编号:10727075
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有氧化镁(MgO)阻挡层的隧道磁阻(TMR)传感器已经作为读取器用于许多商业磁盘驱动产品,这是因为其简单和结实的阻挡层还提供了高TMR值和低面积电阻(RA)。随着驱动器容量增长的需求提高,需要提高读取器传感器的TMR,同时保持其低RA ;但这已经成为一个巨大的挑战。发明内容本文具体的实施方式是一种制造用于TMR传感器的MgO阻挡层的方法,所述方法包括从Mg靶沉积第一 MgO源层;在氧存在下,使用活性氧化物沉积方法在所述第一 MgO源层上从Mg靶沉积第二 ...
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