技术编号：10727538
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体产品器件尺寸的微缩以及工艺的进步，越来越多的微小缺陷都将对产品良率产生巨大影响。氧化物生长作为常用的工艺之一，会受到氧化物沉积工艺之前晶圆表面状态的影响，尤其是作为关键层之一的多晶硅栅极沉积，如果氧化物沉积前晶圆表面状态处于较差的状态，则会影响局部的栅极沉积，导致氧化物生成异常，即厚度不足或者缺失，这将严重影响器件的功能，从而造成良率缺失。因此，需要进行例如由多晶硅栅极缺失造成的漏电问题的失效分析。目前，针对此类问题的检测方法非常有限，由于氧化硅...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。