技术编号：10727686
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。多种半导体器件基于补偿结构。这种补偿器件是n或p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、二极管、绝缘栅型双极晶体管(IGBT)、半导体闸流管或其他部件。补偿器件可以基于晶体管的漂移区域中的n和p掺杂区域的电荷的相互补偿。这些区域被空间布置为使得沿着垂直于pn结行进的线掺杂的线积分保持在材料特有的击穿电荷(对于轻掺杂硅来说近似为2X1012cnf2)之下。例如，在垂直晶体管中，p和n柱或板可以成对布置。例如，超结晶体管或CoolMOS?晶体管可以在耗尽电压(例如，...
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