技术编号：10727693
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。功率器件阻断高压的能力主要取决于器件结构中特定PN结的反偏击穿电压。在功率器件中，受PN结弯曲或PN结终止处表面非理想因素的影响，反偏PN结击穿电压又受限于发生在表面附近或结弯曲处局部区域相对于体内平行平面结提前出现的击穿现象。结终端就是为了减小局部电场、提高表面击穿电压及可靠性、使器件实际击穿电压更接近平行平面结理想值而专门设计的特殊结构。在纵向导电器件中它通常分布在器件有源区的周边，是有源区内用于承受外高压的PN结的附属结构。目前，采用平面工艺制作的功...
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