技术编号:10727722
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 目前,P沟道VDMOS器件的生产工艺基本与N沟道VDMOS器件一致,具体如下 N型VDMOS器件的VTH形成过程,在栅氧生长W及多晶栅刻蚀完成后,通过多晶栅自对准 工艺先注入一定剂量的P型杂质,然后高溫退火,形成一定结深的P型基区,然后再次利用多 晶栅自对准工艺进行源N+大剂量注入并退火,运样一来,由P型基区与N+源区的二次横向扩 散结深之差形成沟道,最终VTH大小与栅氧厚度W及沟道中的最大补偿杂质浓度决定,最大 补偿浓度一般位于P型基区中靠近P型基区N...
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