技术编号:10727729
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。众所周知,硅二极管是最重要的基础元器件,在电子电路应用中,PN结的反向击穿电压Vb和器件正向压降Vf为硅二极管两个最重要的电性能参数,它们都与制造器件原材料硅单晶的电阻率直接相关。所用硅单晶的电阻率越高,二极管PN结的反向击穿电压Vb越高,器件正向压降Vf越大。高压电子电路工作时要求硅二极管既能承受高反向工作耐压,同时具有尽可能低的器件正向压降VF,二者之间存在着矛盾,须极力化解之。目前的常规制造硅二极管硅芯直角台面的方法通常是直接将硅扩散晶圆片进行锯切获...
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