技术编号:10727816
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。氮化镓(GaN)基半导体材料光学和电学性质优良,非常适合发光器件的制备。早在1993年,氮化镓基蓝光LED就已被成功研制,并得到推广应用。现有的氮化镓基外延片包括蓝宝石衬底、缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、发光层以及P-GaN层。然而围绕着高性能氮化镓基外延片研究的热度丝毫不减,原因是现有的氮化镓基外延片仍存在许多问题,如生成掺杂有Si的N-GaN层前后,多余的电子可能会造成晶格失配与热应力失配,这会在外延薄膜中产生大量的缺陷,进而对后续的器件制造与加...
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