技术编号：10747386
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。现有技术中，GaN基发光二极管结构分为正装结构、垂直结构以及正装结构。其中，正装结构芯片通过干法蚀刻的方式裸露N型氮化镓层，然后在P型氮化镓上形成透明导电层，最后使用镍金等金属制作P/N电极，形成电流通路发光；垂直结构芯片通过使用导电沉底或者衬底转移等方式形成导电的沉底层，使P/N电极分别位于芯片上下两个面;倒装结构芯片制作流程与正装类似，只是透明导电层由反射金属层或者透明导电层加反射层形成，光由芯片的蓝宝石衬底面出射。随着LED芯片功率的上升，对于芯片的...
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