技术编号：10761662
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。原子层薄膜沉积技术的机理为在特定的反应腔室温度和压强范围内，交替将两种不同的气态反应源通到硅片表面，依次循环，实现以单原子层生长的方式在硅片表面沉积薄膜。原子层薄膜沉积技术具有工艺温度低、薄膜厚度控制精确、工艺重复性好的优点，因而受到来自科研院所和生产企业的越来越多的重视。现有技术公开了几种反应源的进气装置，其中一种反应源的进气装置的反应源气路由一条进气总路和围绕其呈圆形分布的多条分流支路组成，每条分流支路上沿轴向开设一排出气孔。该进气装置可以提高气态反应...
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