技术编号：10771708
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着电力电子器件的快速发展，智能电网以及绿色电网越加受到重视，以绝缘栅门极晶体管(IGBT )为代表的功率器件在高功率因数整流、逆变、无功补偿和变频调速等方面得以广泛的应用。IGBT是VDMOS与双极晶体管的组合器件，集M0STFET与GTR的优点于一身，既具有输入阻抗高，开关速度快，热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低，耐压高和承受大电流的优点，是电力系统控制领域中不可或缺的一部分。但是一方面由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容，会造成器...
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