技术编号：10783236
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一般情况下，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing;CMP)工序是指以在进行旋转的抛光平板上接触晶片等基板的状态进行旋转，并执行机械抛光来以达到预先指定的厚度的方式使基板的表面变得平坦的工序。为此，化学机械抛光装置一边以使抛光垫覆盖抛光平板的上方的状态进行自转，一边利用抛光头将晶片加压于抛光垫的表面并旋转，从而对晶片的表面平坦地进行抛光。SP，如图1所示，利用抛光头20—边在旋转的抛光垫11上加压晶片W—边旋转20d，与此...
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