技术编号：10789966
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年来，硅光伏发电量以年均20%以上的速度增长，消耗越来越多的多晶硅材料。然而，生产多晶硅材料的主流技术一一改良西门子法不仅投资大，而且技术难度高，造成多晶硅价格居高不下，供不应求。在现有纯度硅材料的其它技术中，由于加热源提供的热能通过坩祸壁再传导给坩祸内盛装的硅材料，造成坩祸杂质不断大量进入硅熔体中，产生杂质玷污，影响和制约提纯效果，存在着设备结构复杂，难以实现加热均匀性，加热时间长、能源利用率低，难以控制加热惯性，难以在同一装置中有效实现硅熔化、实施去...
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