Mosfet封装结构的制作方法技术资料下载

技术编号:10805002

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MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)是利用电场效应来控制半导体的场效应晶体管。由于MOSFET具有可实现低功耗电压控制的特性,近年来受到越来越多的关注。栅极与漏极、源极之间是绝缘的,漏极与源极之间有两个PN结,一般情况下,衬底与源极在内部连接在一起。通过栅极电压控制MOSFET的导通与截止。MOSFET性能特别是电流承载能力的优劣很大程度上取决于散热性能,散热性能的好坏又主要取决于封装形式。然而传统MOSFET封装主要是T0、S0T、S0P、QFN、Q...
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