技术编号:10805035
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。超结MOSFET功率器件基于电荷平衡技术,可以降低寄生电容,使得超结功率器件具有极快的开关特性,可以降低开关损耗,实现更高的功率转换效率。超结MOSFET功率器件在开启和关断过程中,米勒电容(Crss)及其所对应的栅漏电容(Cgd)对超结功率器件的开关速度起主导作用,若能降低Cgd,就可提高超结功率器件的开关速度、降低开关损耗;同时,超结MOSFET功率器件在开启和关断时,栅漏电容(Cgd)会发生突变,这使得超结MOSFET功率器件的电磁干扰严重。发明内容...
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