一种大尺寸晶体的生长装置的制造方法技术资料下载

技术编号:10817976

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由于气体在晶体中的溶解度远小于熔体中的溶解度,随着晶体的生长,晶体的固/液界面不断推移,由晶体不断排出的气体富集在固/液界面前沿,在初始熔体气体含量较高和缺少强迫对流驱动的情况下,固/液界面前沿富集的气体很容易达到过饱和状态,再加上固/液界面不稳定,此时界面更容易捕获气体而形成气泡,最终导致晶体内部气泡较多。解决气泡问题有三种解决方法,其一是在长晶前尽可能减少熔体中的溶解的气体含量,其二是在长晶过程中增加强迫对流,将固液界面富集的气体快速排到整个熔体和外界...
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