技术编号：10844792
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。碳化硅单晶作为第三代半导体材料，相对于传统半导体如硅、砷化镓有非常优异的物理、化学性能。广泛应用于高压、高频、大功率领域。碳化硅单晶生长主要的生长方法为物理气相沉积法(PVT)，在2000°C以上的高温下低压生长，技术难度非常大。碳化硅晶体生长常用的保温材料有两种，一是软性石墨毡，二是固态石墨毡，两者各有优缺点。软性石墨毡做保温优点是在感应磁场中发热量很小，缺点是保温的强度底、加工几何尺寸公差大，而固态石墨毡与其相反，优点是强度高，加工几何尺寸公差小，缺点...
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