技术编号：10855445
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体光刻技术中，为了获得更窄的线宽，一般将图形缩放一定的倍率成像在衬底上，物镜倍率越高，图形被缩放的越小，得到的线宽也越窄。但高倍物镜的视场较小，在套刻等工艺需要寻找标记点对准时，非常不方便。因此在实际工艺流程中，一般先根据低倍镜有较大视场的特点，用来寻找标记点(对准工序)，在对准完成之后，再使用高倍物镜进行曝光(曝光工序)。低倍物镜和高倍物镜的更换不仅影响了工作效率，而且人工的更换操作还容易对光学器件产生位移，造成对准曝光失焦。如何开发出一种能够直接...
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