技术编号：10858134
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。由于硅的带隙宽度(1.12eV)和锗的带隙宽度(0.66eV)较小，因此基于硅、锗制备的PN结二极管和肖特基结二极管的耐受性能差，即在高温、高电压、大电流或光照等情况下工作会出现性能退化问题。为了提高二极管的耐受性能，通常选用宽带隙(即带隙大于2eV)半导体制备二极管，例如选用带隙为3.2eV的SiC、带隙为3.4eV的GaN或带隙为3.4eV的ZnO。然而，宽带隙半导体难以同时作为N型和P型材料，因此无法制备同质PN结二极管。而异质PN结由于界面质量差从...
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