技术编号:10878912
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。高耦合分裂电抗器通常包括第一线圈、第二线圈和进出线结构;所述第一线圈包括若干个第一绕组包封,第二线圈包括若干个第二绕组包封,若干个第一绕组包封与若干个第二绕组包封由内到外交替套设,并位于进出线结构的第一接线架和第二接线架之间。目前的进出线结构对绕组包封的绝缘性能的要求高和不利于实现高耦合系数。实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种便于使用的进出线结构,其应用于高耦合分裂电抗器时,可以降低对绕组包封的绝缘性能的要求、便于进出线设置和更易实现高耦合...
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