技术编号：10896727
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。提升晶体硅电池效率，是有效降低太阳能电池片效率的手段之一。随着电池扩散工艺逐渐进步，低方阻均匀扩散电池已经可以在产线上实现，满足了降低太阳能电池发射极杂质，减少少子复合，从而提升电池电压的要求。同时，为了弥补金属接触发射极升高的接触电阻问题，选择发射极技术被广泛应用，主流的技术为激光制熔选择发射极技术。传统的激光制熔选择性发射极为以下制备步骤第一步，如图1-1所示，硅衬底la表面生长钝化层2a，一般为氮化硅薄膜；第二步，如图1-2所示，扩散掺杂溶液喷涂，形...
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