技术编号:10921979
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。如图1所示,传统的肖特基二极管采用平面结构,S卩,其势皇金属10为二维平面结构,而采用该平面结构的肖特基二极管的正向压降已无太多优化空间,无法满足市场对肖特基二极管正向压降越来越低的市场需求。如图2所示,业内肖特基二极管采用的是沟槽型的TMBS(Trench MOS Barrier Schottky rectifier,沟槽金属氧化物半导体势皇肖特基整流器)结构,其通过在有源区内开设沟槽1,且沟槽I内壁有氧化层2覆盖,沟槽I与沟槽I中间淀积多晶硅3,通过兼...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。