技术编号:10947199
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。外延晶片,例如碳化硅外延晶片通常是采用CVD(化学气相沉积)的方法来生长,具体是将衬底置于外延炉反应室中,将含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入反应室,在一定的温度及压力下借助空间气相化学反应在衬底表面上沉积固体薄膜。CVD可以生长纯度高、缺陷少的外延晶片,是半导体工业中的主流技术。目前商业化的气相沉积用外延炉,大部分为水平行星式反应室外延炉,其反应室内设置有大盘,大盘上设置若干用于放置衬底的小盘基座。大盘中心上方设置有与进气管路相通的注入器,源气由进气...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。