技术编号:10963878
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 目前晶体硅太阳电池凭借着强大的生命力和竞争力依然占据市场主流地位。在其 传统制备工艺中,使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法在发射极表面沉积一层 SiN x薄膜是其中一个必须。SiNx薄膜具有钝化硅片表面和减反射的作用。决定SiNx薄膜钝化 及减反射效果的主要因素有SiN x薄膜成膜致密性;薄膜中硅氮比例以及薄膜的厚薄度。 目前实际生产中常用的管式低频直接法PECVD采用电阻式加热将整个腔体加热到 所需的温度,腔体中放置具有夹板的石墨舟,夹板...
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