技术编号：10965736
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着通讯行业的发展，对PD (Photo-D1de，光电二极管)的成本要求越来越低，同时体积要求越来越小。目前市面上高速率的光电二极管一般采用的是砷化为材料，做成单个或者是阵列的雪崩二极管或者是二极管，雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。现有采用砷化材料制成的光电二极管的成本太高，故需要设计。实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种采用新型的磷化铟制成的光电二极管阵列来代替传统光电二极管阵列的多通道接...
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