技术编号:109754
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造光电器件和其它半导体器件的氢化非晶硅合金。为了调制氢化非晶硅合金的光学带隙,要求在此合金中掺入碳原子或锗原子。例如,碳的光学带隙比硅的大,因而在氢化非晶硅合金中掺入碳就使该合金的光学带隙增大。相反,锗的光学带隙比硅的小,因而在氢化非晶硅合金中掺入锗就使该合金的光学带隙减小。同样,为了调制氢化非晶硅合金的导电性能,要求在此合金中掺入硼原子或磷原子在氢化非晶硅合金中掺入硼,形成一个正掺杂的导电区。相反,在氢化非晶硅合金中掺入磷,则形成一个负掺杂的导电区。氢化非晶硅合金薄膜是在沉积室内通过沉积来制备。迄...
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