技术编号：10994499
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。VGF法(垂直梯度凝固法)由于生长单晶时温度梯度较低，生长速率较小，目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。在VGF法生长晶体工艺过程中，备炉是一个很重要的阶段，在该阶段中，需要将做好的炉芯、石英管(支撑管)及炉套重叠起来，然后从炉体的下方放入炉内，下端置于底座上。其中，炉芯主要是用来放置测温热电偶、散热以及进行籽晶熔接;炉套主要用来保温;石英管主要用来支撑装有Ge(GaAs、InP)料的异型管。目前用VGF法生长晶体时，采用的底座容易使石英管...
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