技术编号：10998906
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。以GaN为代表的第三代半导体材料因其禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、耐腐蚀和抗辐照等优势，特别是GaN异质结构具有高密度和高迀移率的二维电子气，被誉为是研制微波功率器件的理想材料。近年来，随着外延技术的不断进步，GaN外延材料的结晶质量也逐步提升，加上器件制造工艺的不断成熟，GaN器件性能不断提高。不过仍然存在一些关键问题制约器件性能与可靠性，如GaN缓冲层漏电问题。GaN缓冲层漏电直接使得器件的夹断特性变差，器件击穿电压不高，将严重降低器件的功率特性。...
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