技术编号：10998951
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着便携式电子设备的快速发展，对于DRAM产品的需求量快速增加，同时对于DRAM产品的性能尤其是功耗性能提出了更高的要求。通常情况下，DRAM进入节电模式之后，大部分的耗电模块已经关闭，所以节电模式下的功耗绝大部分来自于DRAM芯片中所有器件的静态漏电流。而器件的静态漏电流与内部供电电压以及器件本身的特性参数强相关。目前工艺中为了降低器件的漏电流，多通过增加器件的阈值电压来实现。这就导致一个负效应，就是器件的时序性能降低，从而降低了整个DRAM产品的时序性...
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