技术编号：11010148
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。碳化硅(SIC)MOSFET/IGBT具有高压高温特性，随着近几年商业化速度的加快，碳化硅器件越来越受到产业界的广泛关注。SIC M0SFET/IGBT相比传统硅基器件具有理想的栅极绝缘特性，具有更快的开关性能，更低的开关损耗，更高的稳定性，更高的耐压耐高温特性。SIC M0SFET/IGBT与传统的硅基M0SFET/IGBT驱动特性上存在差异，在使用中对其驱动具有特殊的要求。SIC M0SFET/IGBT推荐的开通电压为+18V以上从而保证通态电阻最小；...
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