技术编号:11010188
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。加速器中子源是利用离子源产生的氘离子或氘氚混合离子,经过加速电场的加速,获得一定的能量,在靶上发生D/D或D/T聚变反应,并在4JT方向上放出中子。加速器中子源产额高,关断电源后没有中子产生,使用方便,可控性好,安全性较高。加速器中子源的高能离子束轰击靶时产生很高的能量沉积,即使在通水冷却的条件下,靶上能够承受的功率密度也必须控制在一个合理的范围,保证靶的正常使用。通常情况下,为了加快成像速度,提高工作效率,都希望提高中子产额,也就是增加离子束流强度或者离...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。