技术编号:11012152
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在SiC晶体制备领域中,最为成熟的生长方法是物理气相传输法(PVT)。晶体生长使用的坩祸使用石墨材料,由于石墨材料具一定孔隙率,高温下SiC蒸汽可以穿透石墨坩祸并在坩祸外部的保温毡内沉积。由于测温需要,通常在顶部保温毡中心开孔,通过红外测温仪测量坩祸顶部温度,由于开孔位置气流阻力小,开孔位置会成为SiC蒸汽优先输运通道,在长晶过程初期,测温孔就会因SiC蒸汽沉积尔堵塞,影响及顶部散热,从尔影响后续晶体生长。为此,如何提供一种避免顶部测温孔堵塞的结构,是本实...
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