技术编号：11023705
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。上述方法类型为区熔化法或浮区法(简称FZ法)。其经常被用于由硅生产单晶体，所述单晶体进一步被加工为半导体晶片，再由半导体晶片生产电子元件。以经典方式实施，多晶进料棒在下端熔化且单晶体籽晶保持抵靠着熔化物且缓慢下降，在该方法的进一步过程中，熔料在籽晶上结晶以形成单晶体。籽晶和单晶体位于轴上，该轴与驱动器连接，而该驱动器则能够使轴旋转、上升和下降。熔化物的体积随着进料棒的进一步熔化和下降而增加，以形成浮区，该浮区在进料棒和在籽晶上结晶的单晶体之间延伸。浮区提供...
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