技术编号：11050512
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种位移传感器，特别是一种非接触磁压式位移传感器。背景技术现在最常用的非接触式位移传感器主要包括电涡流式位移传感器、磁致伸缩效应位移传感器和霍尔式位移传感器，这些非接触式位移传感器都是采用单一的物理效应设计的，它们的体积大，测量的线性范围小，测量值受到介质和电磁场的影响较大，在现场使用有困难，不能满足实际使用中的要求。实用新型内容本实用新型的实用新型目的在于：针对上述存在的问题，提供一种结合磁效应和压电效应两种物理效应，高精度、使用方便、操作简单、测量的线性范围广、适用环境能力强的...
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