技术编号：11051178
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种黄光倒装LED(发光二极管)的外延结构，属于发光二极管的技术领域。背景技术AlGaInP材料体系由日本研究人员在二十世纪八十年代中期首先提出，最初是被用来制造可见光的激光二极管(LD)，有源区均使用与GaAs衬底匹配的Ga0.5In0.5P材料,其对应的发光波长为650nm左右。研究发现在GaInP中引入Al组分可以进一步缩短发光波长，当Al含量超过0.53时AlGaInP将变为间接带隙半导体，器件的发光效率急剧下降，因此AlGaInP材料一般只用来制备发光波长570nm以上的...
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