技术编号:11054391
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体测试领域,特别是涉及一种针对多晶硅层与第一金属线层之间的TDDB测试结构。背景技术当在器件上加恒定的电压,使器件处于电荷积累状态,经过一段时间后,器件中的介电层就会击穿,这期间经历的时间就是在该条件下的寿命,也就是一般所说的与时间相关电介质击穿(timedependentdielectricbreakdown,TDDB),在后段制程(Thebackendofline,BEOL)中,TDDB是衡量金属介质层(inter-metal-dielectrics,IMD)以及半导体器件...
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