技术编号:11054392
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体测试结构,特别是涉及一种用于检测金属层间断裂的测试结构。背景技术金属层间断裂是一种严重的问题,一旦发生金属层的断裂,晶圆(wafer)均需要报废。之前很多断裂问题可以通过不同的方式优化去解决,如改变IMD(InterMetalDielectric,金属层间介质)薄膜的组成,沉积金属层步骤分两次或多次完成,或者要求客户改变金属层的设计布局结构;而有一些断裂问题,并没有违反设计规则,且尝试上述多种方法还是不能解决;更重要的是,对于有些断裂,在线缺陷扫描是无法检测到的。目前针对...
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