技术编号:11055598
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种微电子、射频微波测量方法,特别涉及一种LDMOS器件内匹配方法。背景技术针对目前大功率器件的内匹配电路设计,一般使用LC组成的“T”型网络结构或者“π”型匹配网络结构进行匹配,如图1-2所示,实现将裸芯片较小的阻抗值匹配到适合测试的阻抗。针对器件工作频率较低的范围,器件本身特性导致低频段稳定性较差,容易产生振荡,最终造成器件烧毁甚至导致测试仪器烧毁。为了达到更高的输出功率,器件栅宽逐渐增大,芯片的输入阻抗变得越来越低,器件无载Q值会变得很高,馈送电信号的幅度不平衡和相位不平衡的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。