技术编号:11056990
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于NAND闪存的结构设计领域,尤其涉及一种NAND闪存设备及其操作方法。背景技术随着半导体工艺的进步,NAND闪存设备的价格稳步下降,其应用领域也得到了拓展。公知地,NAND闪存芯片中的各存储单元在结构上采用浮栅晶体管,对NAND闪存芯片的操作可以是擦除操作、写入操作或读取操作,通过对浮空栅的充/放电,实现数据的存储/释放,进而实现NAND闪存芯片中数据的写入/擦除。详细地,每一NAND闪存芯片包括一定数目的块,每个块又分为一定数目的页,对NAND闪存芯片中数据的擦除是以块为单位进行的,...
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