技术编号:110586
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是正交的磁性存贮介质,特别是以磁卡、磁带、磁盘或类似形式使用的正交磁性存贮介质,其中,该介质形成了正交的磁性各向异性膜、膜由(1)含铁、钴金属的次氧化物和(2)含铁、钴和至少一种非铁、钴金属的次氧化物组成,该介质适于高密度的记录。到目前为止,正交的磁性存贮介质有效地用于高密度磁性存贮。用于这种目的的磁性存贮介质采用了磁性薄膜形式,这种薄膜具有与膜平面相互垂直的易磁化轴。作为上述应用的磁性膜,已经采用或研究出用溅射法或真空沉积法生产的Co-Cr(Co-Cr合金),Fe3O4或Os-αFe2O3薄膜,和用涂...
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